SMIC inicia la producción de prueba a pequeña escala de su proceso N + 1 de segunda generación

Recientemente, en una plataforma interactiva, Semiconductor Manufacturing International Corp (SMIC), con sede en Shanghai, insinuó que ha comenzado la producción de prueba a pequeña escala de su proceso FinFET N + 1 de segunda generación. Esto se reveló en respuesta a la pregunta de un inversor sobre el progreso de la empresa en I + D y fabricación de productos de 7 nanómetros.Logotipo de SMIC

SMIC anunció por primera vez que logró la producción en masa del proceso de 14 nm más avanzado de China en 2019. El proceso es el proceso FinFET de primera generación de la compañía y comenzó la producción en masa en el cuarto trimestre de 2019. La compañía implementó el proceso para producir el chipset Hisilicon Kirin 710A que se utilizó primero en el Honor Play 4T y luego en un par de otros productos de Huawei.

En septiembre de este año, cuando los inversores pidieron a los inversores que consultaran las noticias internas sobre la producción en masa de sus chips de próxima generación, SMIC respondió que su proceso N + 1 FinFET de segunda generación ha entrado en el presentación al cliente. La compañía también insinuó que se espera que comience la producción a pequeña escala (producción de prueba) a fines de 2020.

Más tarde, en octubre, INNOSILICON, una empresa china de chips personalizados e IP de ventanilla única, anunció que había completado la primera prueba de cinta y chip del mundo basada en el proceso avanzado FinFET N + 1 de SMIC. Todas las IP se realizan internamente, con funciones únicas.SMIC

Con respecto al proceso N + 1, el CEO de SMIC, Liang Mengsong, reveló a principios de este año que el proceso es muy similar al proceso de 7 nm en términos de potencia y estabilidad y no requiere litografía EUV. Los nuevos nodos de proceso N + 1 se denominan 8 nm o una etapa de proceso inicial de 7 nm. El proceso está orientado a aplicaciones de baja potencia. En comparación con el proceso de 14 nm, el proceso N + 1 de SMIC tiene un aumento del 20% en el rendimiento y una reducción del 57% en el consumo de energía, mientras que el aumento del rendimiento de referencia del mercado de 7 nm debería ser del 35% .

Si bien esta es una buena noticia, SMIC todavía está años por detrás de TSMC, que cambió al proceso de 5 nm y actualmente está trabajando en su nodo de 3 nm de próxima generación.

ADELANTE SIGUIENTE: Oppo X 2021 se presentó como el primer concepto de teléfono inteligente del mundo con una pantalla extensible

Sea siempre el primero en saberlo, ¡síganos!

Compruebe también

Los relojes Galaxy Watch de Samsung se actualizan durante nuestras pequeñas actualizaciones

Los modelos recientes de Galaxy Watch de Samsung reciben nuevas actualizaciones. Oficialmente dice que ieder …

Deja una respuesta

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *