Según se informa, los rendimientos de TSMC en la producción inicial de 3 nm alcanzan el 80 %

La rivalidad TSMC-Samsung Foundry no es precisamente la más famosa del mundo. No está ni cerca de ser el duopolio que viene primero a la mente (Coca-Cola-Pepsi podría ser el número uno), ya que a la mayoría de los consumidores les importa un bledo de dónde provienen los chips dentro de sus teléfonos. Pero la fundición más grande del mundo es TSMC. Apple es el cliente número uno de la fundición y representa una cuarta parte de sus ingresos. Samsung y TSMC han producido en algún momento chips Snapdragon para Qualcomm.

Según los informes, Samsung Foundry ha perdido parte del negocio de Qualcomm debido a los bajos rendimientos

Samsung estaba produciendo el chip Snapdragon 8 Gen 1 del año pasado. Pero los bajos rendimientos hicieron que Qualcomm cambiara a TSMC para Snapdragon 8+ Gen 1 y Snapdragon 8 Gen 2. El rendimiento es el porcentaje de chips fabricados en una sola oblea de silicio que pasa por el control de calidad. Samsung Foundry tiene una eficiencia de solo el 35 % para el chip Snapdragon 8 Gen 1 de 4 nm. Mientras tanto, el rendimiento de TSMC para sus chips de 4 nm fue el doble que el de Samsung Foundry con un 70 %.

TSMC producirá la gran mayoría de los conjuntos de chips Snapdragon 8 Gen 2: las eficiencias de TSMC en la producción inicial de 3 nm supuestamente alcanzaron el 80 %

TSMC fabricará la gran mayoría de los conjuntos de chips Snapdragon 8 Gen 2

La semana pasada, TSMC comenzó la producción en masa de sus chips de 3nm utilizando su nodo de proceso N3 meses después de que Samsung Foundry comenzara a fabricar chips utilizando su clase de 3nm, gate-all-around temprano. A medida que se reduce el número de nodos de proceso, se utiliza como una forma de señalar el comienzo de la próxima generación de fabricación de chips de vanguardia. Cuanto menor sea el número de nodo del proceso, mayor será la cantidad de transistores (la cantidad de transistores dentro de un chip), lo que hace que estos componentes sean más potentes y energéticamente eficientes. Por ejemplo, la serie iPhone 11 de 2019 presentaba el SoC Bionic A13 de 7 nm con 8500 millones de transistores. El A16 Bionic de este año, fabricado con el nodo de proceso de 4nm de TSMC, contiene casi 16 mil millones de transistores.
un informe de hardware de tom cita a los analistas contactados por Business Next para estimar que los rendimientos N3 de TSMC podrían estar entre el 60 % y el 70 % o entre el 75 % y el 80 %. El punto es que ambos rangos no son del todo malos para el primer lote de “galletas” que salen del horno. Un analista dijo que el rendimiento de TSMC en su producción inicial de N3 es similar al rendimiento inicial de N5 (5 nm) de la fundición y podría llegar al 80 %.

Samsung, por otro lado, sigue teniendo problemas con el renderizado. Fuentes de la industria dicen que el rendimiento inicial de Samsung Foundry en su producción 3GAE osciló entre el 10% y el 20%, lo que significa que cuesta más dinero y Sammy tarda más en almacenar la misma cantidad de conjuntos de chips que TSMC. A medida que pasa el tiempo, los rendimientos de Samsung deberían mejorar.

Los nodos de 3 nm de Samsung se diferencian de los de TSMC en un aspecto muy importante

Debemos señalar que, dado que la mayor parte de la fabricación de última generación de TSMC está diseñada para Apple, sería más fácil obtener un mayor rendimiento que Samsung al comienzo de la era de los 3 nm. Apple puede ser el único cliente de TSMC que solicite la producción de N3, mientras que otros clientes esperan la siguiente fase de este nodo, que sería N3E. Como resultado, puede que no sea del todo justo comparar los rendimientos entre los dos rivales, incluso si parece haber una gran diferencia entre ellos.
Los chips de 3nm de Samsung tienen una gran diferencia estructural con los de TSMC. Samsung utiliza transistores gate-all-around (GAA) que permiten un mayor control sobre el flujo de corriente de un transistor. Esto se debe a que los transistores GAA tienen nanoláminas apiladas verticalmente para cubrir los cuatro lados del canal para un mayor control y menores pérdidas. El nodo de 3 nm de TSMC todavía usa transistores FinFET con “aletas” colocadas horizontalmente que cubren solo tres lados del canal. TSMC cambiará a GAA para su producción de 2nm. De hecho, la producción de 2 nm está al acecho a la vuelta de la esquina con TSMC y Samsung buscando comenzar a producir tales chips en 2025. La hoja de ruta de Samsung proyecta un nodo de 1.4 nm en 2027, mientras que TSMC ha hablado vagamente sobre 1 n.

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