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SAMSUNG dijo el mes pasado que había comenzado a fabricar chips basados en un nodo de fabricación de 3 nanómetros (nm) utilizando la arquitectura de transistores Gate-All-Around (GAA).
La compañía reveló hoy en un evento coreano que comenzó a enviar el primer chip de 3 nm fabricado con tecnología Gate All Around en la línea V1 (solo EUV) en el campus de Hwaseong.
Con la creencia de que “avanzaremos con tecnología innovadora para convertirnos en los mejores del mundo”, la división de fundición de Samsung Electronics busca aumentar la competitividad de su negocio a través de la producción en masa del proceso GAA de 3 nanómetros y la tecnología de fundición preventiva.
Según Samsung, asistieron alrededor de 100 personas, incluido el director ejecutivo de Samsung Electronics, Kye Kyung-hyeon, el ministro de Comercio, Industria y Energía, Changyang Lee, proveedores, ejecutivos y trabajadores dedicados a la investigación y el desarrollo de GAA en 3 nm y en la producción en masa.
Según Samsung, el campus de Pyeongtaek eventualmente verá la incorporación de la fabricación de chips GAA de 3 nanómetros. Mientras que se espera que el principal rival de semiconductores de Samsung, TSMC, comience a producir chips de 3 nm alrededor del cuarto trimestre de 2022.
Según un informe del año pasado, AMD y Qualcomm podrían estar entre los primeros clientes del nuevo proceso de vanguardia de Samsung. El informe también menciona que Nvidia también puede estar entre las primeras marcas en adoptar el nodo de 3nm de Samsung, sin embargo, los recientes problemas de overbooking de la compañía han dejado un gran interrogante sobre esa posibilidad.
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