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Recientemente cubrimos las noticias sobre Nio en el trabajo en su primer teléfono inteligente. Ahora, un nuevo informe ha revelado algunos detalles interesantes sobre el próximo primer teléfono inteligente del famoso fabricante de vehículos eléctricos.
De acuerdo a un Arena EV informe, fuentes cercanas al asunto han revelado detalles sobre el conjunto de chips que alimentará este nuevo teléfono y también su capacidad de carga. Para los no iniciados, Nio es un conocido fabricante de vehículos eléctricos con sede en China. El fundador de la marca había revelado que tenía la intención de lanzar un teléfono nuevo por año y quería convertirlo en un producto estrella de gama alta.
Ahora, el último informe ha revelado que este teléfono inteligente de la marca Nio contará con el conjunto de chips Snapdragon de nivel insignia de Qualcomm. En otras palabras, el candidato más probable que cumple con los requisitos es el SoC Snapdragon 8+ Gen 1, que es el procesador para teléfonos inteligentes más reciente y más grande del fabricante de chips. Sin embargo, considerando que se espera que el primer teléfono inteligente en cuestión se lance el próximo año, también es probable que se lance con el procesador Snapdragon 8 Gen 2. Además de eso, el informe agrega que el teléfono inteligente lucirá una pantalla curva QHD +. el cual contará con un lector de huellas dactilares ultrasónico y una cámara perforada en la parte frontal.
Curiosamente, Nio ya usa chips Qualcomm para sus sistemas de infoentretenimiento de vehículos eléctricos. Esto incluye chips como Snapdragon 8155. La marca también ha desarrollado su propio sistema operativo personalizado para la interfaz EV, por lo que podemos esperar que el teléfono inteligente también venga con una máscara personalizada. Finalmente, el último detalle revelado en el informe es que el teléfono Nio estará equipado con una batería que admite carga rápida de 100 W, con una capacidad que oscila entre los 4.500 mAh y los 4.800 mAh.
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