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El verdadero yoEl próximo teléfono inteligente insignia de se lanzará el 28 de agosto en China. Se espera que Realme GT 5 tenga la misma tecnología de carga extrema de 240 W que su predecesor. Sin embargo, se afirma que el dispositivo tiene un nuevo acabado de “vidrio milagroso” en la parte posterior. Mientras esperamos el lanzamiento, el Realme GT 5 ha aparecido en el sitio web de Geekbench, con el SoC Snapdragon 8 Gen 2 debajo del capó. Aquí están los detalles.
El próximo teléfono inteligente Realme GT 5, identificado por su número de modelo RMX3820, apareció recientemente en la base de datos Geekbench y reveló algunas especificaciones notables. El dispositivo, que se ejecuta en el sistema operativo basado en Android 13, tiene el nombre en código de la placa base del chip “Kalama”.
El conjunto de chips utiliza una arquitectura 1+4+3. El núcleo principal funciona a 3,19 GHz, mientras que los núcleos de rendimiento mantienen una velocidad de reloj de 2,80 GHz y los núcleos base funcionan a 2,02 GHz. Este es probablemente el conjunto de chips Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2. Integra el conjunto de chips Adreno 740 y ofrece una variante con 16 GB de RAM.
Realme ha comenzado a probar el dispositivo en China. En un adelanto reciente, la compañía reveló que el GT 5 tendrá un acabado “Miracle Glass”. Si bien no sabemos exactamente qué implica esto, Realme ha dicho anteriormente que el hito es tan difícil de lograr que vuelve locos a los proveedores. Podríamos encontrar algo interesante.
Se dice que el Realme GT 5 tiene un panel OLED de 6,74 pulgadas con una resolución de 1,5 K y una frecuencia de actualización de 144 Hz. El teléfono podría ofrecerse en múltiples opciones de almacenamiento desde 128 GB hasta 1 TB. El dispositivo podría estar disponible en dos variantes de batería: 4600 mAh con carga de 240 W y 5200 mAh con carga de 150 W.
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